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研發實力

公司的技術與產品涵蓋：保護器件（Protection Device）、可控硅(Thyristor)、整流二極管(Rectifier)。

在多個技術領域保持了國內領先的地位，如多層疊片技術、高結溫低漏流技術、多層鈍化工藝、超強抗干擾可控硅技術等。
同時利用公司多名核心技術人員在設計、制造領域的積累，為客戶提供針對性的芯片產品設計和系統性的應用解決方案。

半導體類

  • 瞬態電壓抑制二極管 (TVS)

    瞬態電壓抑制二極管 (TVS)

    瞬態抑制二極管也稱硅雪崩二極管，擁有比普通二極管更大PN結面積和更大的同流能力，廣泛應用于電子元件瞬變電壓防護。

    截止電壓: 3.3V~600V;   峰值功率: 200~30KW   電流: 最大達30KA(8/20uS） 高結溫:最高可達


  • 可控硅 (Thyristors)

    可控硅 (Thyristors)

    可控硅是常開式固態開關，能 夠承受額定閉塞/斷態電壓直 至受觸發而切換為導通狀態， 可作為開關或功率調節應用。

    低漏電流：獨特的保護層設計，IDRM<1uA@VDRM        高結溫：超高靜動態能力，150oC 高結溫環境        抗干擾能力強：無緩沖設計, dv/dt > 1000V

  • 靜電二極管陣列 (ESD)

    靜電二極管陣列 (ESD)

    瞬態抑制二極管陣列設計用于保 護數字和模擬信號線免受靜電放 電(ESD)，電快速瞬變(EFT)，以 及雷擊引起的浪涌電流的破壞。

    結電容：最小可達0.3pF        尺寸：最小可達0.6*0.3mm        封裝：多樣化，集成度高        功率：70~1800W（8/20uS）

  • 半導體放電管 (TSS)

    半導體放電管 (TSS)

    半導體放電管是基于可控硅工藝的半導體開關管，相對TVS管有更高的浪涌防護和更低的殘壓，用于各種通訊端口。

    截止電壓：6V~600V   浪涌等級：2/4/6 KV   結電容值：15pF～150pF   封裝：SMA、SMB、SOP8

非半導體類

  • 陶瓷氣體放電管(GDT)

    陶瓷氣體放電管(GDT)

    陶瓷氣體放電管屬于開關型過 壓保護器，工作原理基于惰性 氣體間隙放電，能夠承受極高 的瞬態浪涌。

    電壓: 75V~6KV    浪涌能力: 100KA (8/20μs)    尺寸: 2極&3極，多尺寸    電容值：0.5～25 pF    封裝：軸心引線式、貼片式


  • 玻璃氣體放電管(SPG)

    玻璃氣體放電管(SPG)

    玻璃氣體放電管兼具陶瓷氣體 放電管和半導體放電管的優點， 具有浪涌能力高、體積小、反應速度快的特點。

    電壓范圍：140~ 4000V   浪涌電流：3KA(8/20uS）   尺寸大小：φ1.4mm~φ4.1mm   可靠性高：耐高溫、耐潮濕